土饭碗8月29日消息,SK海力士宣布,成功开发出全球首款采用第六代10纳米级(1c)工艺的DDR5 DRAM芯片。
这款DRAM芯片名为1c 16Gb DDR5,其中的1c代表了SK海力士的第六代10纳米工艺。
与前一代产品相比,1c DDR5 DRAM的运行速度达到了8Gbps,速度提升了11%,同时能效也提高了9%以上。
SK海力士表示,这款芯片的推出,将有助于数据中心在人工智能迅速发展的当下,最高减少达30%的电力成本
SK海力士的1c工艺技术是在第五代(1β)技术的基础上,通过提高设计完成度和优化工艺流程实现的。
在1c工艺中,SK海力士还引入了新材料,并针对极紫外(EUV)工艺进行了优化,使得生产率较前一代1b工艺提高了30%以上。
DRAM开发部门负责人Kim Jonghwan表示,1c工艺技术不仅具备最高性能,还具有成本竞争力,公司计划将其应用于新一代的HBM、LPDDR6、GDDR7等M产品,为客户提供差异化的价值。
SK海力士计划在年内完成1c DDR5 DRAM的量产准备,并从明年开始供应产品,预计将进一步巩固其在半导体存储器市场的领导地位。
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